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09-22
韩国开发出高性能神经形态
半导体器件
信息保留率提高
02-23
利用碳化硅MOSFET首次在电子领域构建暂态宇称时间对称系统
05-13
纳米尺寸垂直晶体管亮相 其有效沟道长度最短可小于1纳米